氮化铝-百图高新材料股份有限公司

产品介绍

销售部：021-50836933

E-mail：sales@bestry-mate.com

邮编：201206

地址：上海市浦东新区云桥路325号云创空间209

当前位置：首页 > 产品介绍 > 氮化铝

返回首页

氮化铝

产品介绍：

采用高活性铝源及碳源，通过碳热还原工艺合成氮化铝粉体。AlN的导热率是Al₂O₃的10倍，导热率可达到 80~320W/m·k 之间，并且不存在异向传热性质，是制备氮化铝陶瓷基板以及生产各类高导热产品的重要原料。AlN 用作电子导热材料的填料，可有效提高基体的导热性能，为高端电子产品的热扩散问题提供新的解决方案。

产品详情产品规格参数产品资料下载

产品特点：

1. 高烧结活性；

2. 高结晶度，形貌规整；

3. 粒度分布窄；

4. 低C和低O含量。

关键应用：

1. 导热材料的填料；

2. 用作高导热 AlN 陶瓷基板的原料；

3. 高导热半导体、电子产品核心部件；

4. EMC、TIM 填料、FCCL 导热介电层填料；

5. 新一代大规模集成电路半导体模块电路及大功率器件的散热和包装材料；

6. 复合材料如塑料基板、蒸发舟等的添加剂，高温结构材料如坩埚等的填料。

TA-1

TA-F01

技术参数：

技术指标		单位	TA系列产品编号		方法/设备
技术指标		单位	TA-1	TA-F01	方法/设备
粒度分布	D10	μm	0.65	0.75	激光粒度分析仪 / OMEC
	D50	μm	1.07	1.27
	D90	μm	1.76	2.01
比表面积		㎡/g	2.38	1.78	3H-2000A 比表面积分析仪
真密度		g/cm³	0.82	0.86	BT-303粉体振实密度仪
化学成分	O	%	0.86	0.92	氧氮分析仪
	C	ppm	380	340	碳硫分析仪
	Ca	ppm	40	60	单道扫描光电直读光谱仪（ICP-AES）
	Si	ppm	30	60	单道扫描光电直读光谱仪（ICP-AES）
	Fe	ppm	10	20	单道扫描光电直读光谱仪（ICP-AES）
	Na	ppm	10	50	单道扫描光电直读光谱仪（ICP-AES）

* 注意：除特别说明，表中记录的参数均为参考值而非最高规格，如果您对此存在疑问，请联系销售代表。