碳化硅（SiC）MOSFET

Littelfus碳化硅（SiC）MOSFET LSIC1MO120E0120和LSIC1MO120E0160具有较低导通电阻（RDS（ON）），分别仅为120毫欧姆和160毫欧姆。         这些碳化硅MOSFET可在各种电力转换系统中用作电源半导体开关，其在阻断电压、特征导通电阻和结电容方面的性能显著优于其他硅MOSFET。其还兼具高工作电压和高切换速度，这是具有类似额定电流和封装的硅IGBT等传统功率晶体管方案所无法企及的。

         这些新型碳化硅MOSFET的典型应用包括：电动汽车、工业机械、可再生能源（如太阳能逆变器）、医疗设备、开关式电源、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压DC/DC转换器、感应加热。

新型1200V碳化硅MOSFET具有以下关键优势：

· 从系统层面减少的无源滤波器组件数量有助于提高功率密度，为高频高效应用打造优化设计；

· 低栅极电荷和输出电容结合低导通电阻可尽可能减少功率耗散，提高效率并降低所需冷却技术的规模和复杂性。

        Littelfus碳化硅（SiC）MOSFET LSIC1MO120E0120 1200 V额定电压为1200 V，额定电阻为120 mOhm，采用TO-247-3L封装。

目标应用

· 太阳能逆变器

· 开关模式电源设备

· UPS

· 电机驱动器

· 高压直流/直流转换器

· 感应加热等