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Si875x 产品矩阵
Si875x 通过使用低至 1 mA 的电流的 10.3 V 来驱动 FET 栅极。将输入电流提高至 10 mA 可实现高达 94 µs 的超快开启时间。独一无二的电源优化选项提供了最大开启电流以实现加速，然后在可选的外部电容放电时降低至静态维持电流。输入侧电压可灵活地在 2.25 V 至 5.5 V 之间变动，支持无缝连接至低功耗控制器。Si875x 设备提供了钳位设备以防止在 FET 漏极产生较高 dv/dt 时意外开启外部 FET。此外，它的 2.5 kVrms 隔离额定值构成了完全通过 UL、CSA、VDE 和 CQC 认证的基础。
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特点
- 数字 CMOS 或二极管仿真控制输入
- 开启时间 <100 µs 的 10.3 V 栅极驱动输出
- 内部产生的次级侧电源
- 米勒钳位电容支持以减少电感颤动
- 驱动用户选择的外部 FET
- 符合 RoHS 的 SOIC-8 封装
产品矩阵图
设备
| 产品型号 | 数据表 | 评估套件 | 重叠保护和停滞时间控制 | AEC-Q100 | 封装类型 | 温度范围 (ºC) | 驱动器供电最小电压 (V) | 驱动器供电最大电压 (V) | 输入电源 (V) | 峰值输出电流 (A) | 输入类型 | 最大传播延迟 | 隔离额定值（输出至输出，Vdc） | 10 kV 浪涌 | 驱动器供电功能 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Si8751AB-AS |  | Si8751-KIT | 否 | 是 | SOIC8 | -40 -125 | 8 | 13 | 2.25-5.5 | 特定外部 FET | 数字 CMOS | 41 | 2.5 | 否 | 内部产生的驱动器供电 |
Si8751AB-IS | | Si8751-KIT | 否 | 是 | SOIC8 | -40-105 | 8 | 13 | 2.25-5.5 | 特定外部 FET | 数字 CMOS | 41 | 2.5 | 否 | 内部产生的驱动器供电 |
Si8752AB-AS | | Si8752-KIT | 否 | 是 | SOIC8 | -40 -125 | 8 | 13 | 2.25-5.5 | 特定外部 FET | 二极管仿真 | 41 | 2.5 | 否 | 内部产生的驱动器供电 |
Si8752AB-IS | | Si8752-KIT | 否 | 是 | SOIC8 | -40-105 | 8 | 13 | 2.25-5.5 | 特定外部 FET | 二极管仿真 | 41 | 2.5 | 否 | 内部产生的驱动器供电 |
